高通发布“充电五分钟,电量五小时”的骁龙 835,明年的旗舰机差不多就是这样

高通骁龙 820 正式上市时间是去年年底,它是高通首款采用自主设计 ARM 64 位架构的处理器,搭载了四个 Kryo CPU,并且采用了当时先进的三星 14nm FinFET 工艺生产。

当然除去那些大家都已熟记于心的细节,高通骁龙 820 里还有很多故事。比如去年 VR、AR 在技术市场上相当活跃,高通也提出了骁龙 820 会为这些运算做出单独优化,用以达到更好的效果。

从高通骁龙 820 的生命周期进度来看,这款旗舰芯片已经完成了自己的使命。去年开始不管是从性能、网络等多个方面看,高通骁龙 820 已默认成为了主流 Android 旗舰机的标配。从手机市场来看,配备骁龙 820 的产品也横跨了 1400 元到 5000 元的区间——更高的定价证明了其旗舰定位,低区间也证明其走到了一定的生命周期阶段。

高通骁龙现在需要新的旗舰芯片拉开与这些产品的差距。

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高通刚刚公布的旗舰处理器骁龙 835 就是用来冲击明年旗舰机的新品。根据高通的新闻稿,这次的骁龙 835 处理器是和三星联合开发的,并且使用了最新的三星 10nm 的制程工艺。

高通介绍骁龙 835 时这样提到:

今年 10 月,三星宣布率先在业界实现了 10nm FinFET 工艺的量产。与其上一代 14nm FinFET 工艺相比,三星 10nm工艺可以在减少高达 30% 的芯片尺寸的基础上,同时实现性能提升 27% 或高达 40% 的功耗降低。通过采用 10nm FinFET 工艺,骁龙 835 处理器将具有更小的芯片尺寸,让 OEM 厂商能够在即将发布的产品中获得更多可用空间,以支持更大的电池或更轻薄的设计。制程工艺的提升与更先进的芯片设计相结合,预计将会显著提升电池续航。

而在这次,另外提到的一个特性是——全新升级的 Quick Charge 4.0 快充将会比上一代快充还要快 20%……

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高通 Quick Charge 4 可以通过仅五分钟的充电,将手机使用时间提高到五个小时左右。通过 Qualcomm Technologies 的平行充电技术 Dual Charge,与使用 Quick Charge 3.0 相比,用户可享受到高达 20% 的充电速度提升,以及高达 30% 的效率提升。

Quick Charge 4 还集成了对 USB Type-C 和 USB-PD 的支持。

除此之外,目前还没有得到关于高通骁龙新一代旗舰 835 的更多参数。不过随着这个新闻的公布,相信高通会陆续放出骁龙 835 的一些细节。

同样,这次骁龙 835 的命名也非常有趣——按道理高通应该公布最新的骁龙 830 才对,虽然这个芯片很可能就是之前传出的骁龙 830,但这种跳数字的更新的方式也让人想到了今年的三星 Galaxy Note 7 手机。目前也并不知道高通采用这种命名的缘由。

根据高通的说法,高通骁龙 835 处理器已经开始进入量产阶段,预计这款产品会在 2017 年上半年正式上市。当然你已可以想象到高通骁龙 835 将成为明年的旗舰机标配。

作为旗舰芯片,去年高通骁龙 820 不光进入到各大旗舰手机,还带上了火热的 VR 概念。今年的热点是人工智能,不知道作为上游芯片厂商会不会也有这样的故事一起讲?

 

插图来自:高通官方

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