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高通发布“充电五分钟,电量五小时”的骁龙 835,明年的旗舰机差不多就是这样

高通刚刚公布的旗舰处理器骁龙 835 就是用来冲击明年旗舰机的新品。而骁龙 835 处理器是和三星联合开发,并且使用了最新的三星 10nm 的制程工艺,QC 4.0 快充技术实现了“充电五分钟,电量五小时”。

王飞

发布于 2016年11月18日

高通骁龙 820 正式上市时间是去年年底,它是高通首款采用自主设计 ARM 64 位架构的处理器,搭载了四个 Kryo CPU,并且采用了当时先进的三星 14nm FinFET 工艺生产。

当然除去那些大家都已熟记于心的细节,高通骁龙 820 里还有很多故事。比如去年 VR、AR 在技术市场上相当活跃,高通也提出了骁龙 820 会为这些运算做出单独优化,用以达到更好的效果。

从高通骁龙 820 的生命周期进度来看,这款旗舰芯片已经完成了自己的使命。去年开始不管是从性能、网络等多个方面看,高通骁龙 820 已默认成为了主流 Android 旗舰机的标配。从手机市场来看,配备骁龙 820 的产品也横跨了 1400 元到 5000 元的区间——更高的定价证明了其旗舰定位,低区间也证明其走到了一定的生命周期阶段。

高通骁龙现在需要新的旗舰芯片拉开与这些产品的差距。

高通刚刚公布的旗舰处理器骁龙 835 就是用来冲击明年旗舰机的新品。根据高通的新闻稿,这次的骁龙 835 处理器是和三星联合开发的,并且使用了最新的三星 10nm 的制程工艺。

高通介绍骁龙 835 时这样提到:

今年 10 月,三星宣布率先在业界实现了 10nm FinFET 工艺的量产。与其上一代 14nm FinFET 工艺相比,三星 10nm工艺可以在减少高达 30% 的芯片尺寸的基础上,同时实现性能提升 27% 或高达 40% 的功耗降低。通过采用 10nm FinFET 工艺,骁龙 835 处理器将具有更小的芯片尺寸,让 OEM 厂商能够在即将发布的产品中获得更多可用空间,以支持更大的电池或更轻薄的设计。制程工艺的提升与更先进的芯片设计相结合,预计将会显著提升电池续航。

而在这次,另外提到的一个特性是——全新升级的 Quick Charge 4.0 快充将会比上一代快充还要快 20%…...

高通 Quick Charge 4 可以通过仅五分钟的充电,将手机使用时间提高到五个小时左右。通过 Qualcomm Technologies 的平行充电技术 Dual Charge,与使用 Quick Charge 3.0 相比,用户可享受到高达 20% 的充电速度提升,以及高达 30% 的效率提升。

Quick Charge 4 还集成了对 USB Type-C 和 USB-PD 的支持。

除此之外,目前还没有得到关于高通骁龙新一代旗舰 835 的更多参数。不过随着这个新闻的公布,相信高通会陆续放出骁龙 835 的一些细节。

同样,这次骁龙 835 的命名也非常有趣——按道理高通应该公布最新的骁龙 830 才对,虽然这个芯片很可能就是之前传出的骁龙 830,但这种跳数字的更新的方式也让人想到了今年的三星 Galaxy Note 7 手机。目前也并不知道高通采用这种命名的缘由。

根据高通的说法,高通骁龙 835 处理器已经开始进入量产阶段,预计这款产品会在 2017 年上半年正式上市。当然你已可以想象到高通骁龙 835 将成为明年的旗舰机标配。

作为旗舰芯片,去年高通骁龙 820 不光进入到各大旗舰手机,还带上了火热的 VR 概念。今年的热点是人工智能,不知道作为上游芯片厂商会不会也有这样的故事一起讲?

 

插图来自:高通官方

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王飞

资深记者 线索采集微信:xcodejk 关注智能硬件市场及汽车商业领域

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