PingWest品玩1月30日报道，今日，三星在其官网上宣布了业界首款容量高达 1TB 的“嵌入式通用闪存存储器”（eUFS）。其基于第五代 V-NAND 技术打造，容量是 64GB 版本的 20 倍，速度是典型 microSD 存储卡的 10 倍，特别适合数据密集型应用。

在相同的封装尺寸（11.5×13.0 m㎡）内，1TB eUFS 较先前的 512GB 版本容量提升了一倍、堆叠了 16 层三星最先进的512Gb V-NAND 闪存和新的专属控制器。1TB eUFS 还具有出色的速度，允许用户在极短的时间内传输大量多媒体内容 —— 高达 1000 MB/s。

此外，1TB eUFS 的随机读取速度，也较 512GB 版本的提高了 38％（最高可达 58k IOPS）。随机写入比高性能 microSD 卡（100 IOPS）快 500倍，最高可达 50k IOPS 。