品玩9月25日讯，台积电在2nm制程芯片工艺研发方面取得重大突破。从供应链来看，与3nm和5nm鳍型场效应晶体管（FinFET）架构不同，台积电的2nm是采用一种新的多桥道场效应晶体管（MBCFET）架构。

台积电一位高管对台湾刊物表示，“我们乐观预计2023年下半年风险试产收益率将达到90%，这将有助于我们未来继续赢得苹果、汇达等主要厂商的大订单”，并进一步指出，量产将于2024年开始。台积电去年成立了2nm项目研发团队，寻找可行的发展路径。考虑到成本、设备兼容性、技术成熟度和性能等条件，2nm采用了基于环绕门（GAA）工艺的MBCFET。该结构解决了FinFET工艺收缩引起的电流控制泄漏的物理限制。