品玩

科技创新者的每日必读

打开APP
关闭

SK 海力士开发出 238 层 NAND 闪存芯片,23年上半年量产

8月3日

品玩8月3日讯,据IT之家,韩国 SK 海力士(SK Hynix)已经开发出 238 层 NAND 闪存芯片,它可以用于 PC 存储设备、智能手机和服务器。上周美光也开始出货 232 层 NAND 闪存芯片。

SK 海力士宣称新的 238 层芯片是最小的 NAND 闪存芯片,数据传输速度相比上代产品提升 50%,读取数据消耗的能量降低 21%。SK 海力士准备于 2023 年上半年开始大规模生产新芯片。

英特尔 NAND 业务被 SK 海力士收购后更名为 Solidigm,它与 SK 海力士合计占有全球 NAND 闪存市场的 18%,仅次于三星的 35.3% 和 Kioxia 的 18.9%。

取消 发布

下载品玩App,比99.9%的人更先知道关于「芯片」的新故事

下载品玩App

比99.9%的人更先知道关于「芯片」的新故事

iOS版本 Android版本
立即下载